性能表现
Geekbench 5.0.2< /p>
CPU方面,OPPO Reno Ace所搭载的骁龙855 Plus的Geekbecnh 5.0.2版本单核得分748,多核2536,基本属于855+正常发挥水平。
GPU部分3DMark和GFXBench的几项经典测试表现成绩一般,这可能与我们手上工程机测试版本有关,实际零售版本固件更新后成绩还有一定提升空间。
实际测试下来,安兔兔V8.1版本41W总分和AndroBench近1500MB/s的持续读速基本符合骁龙855 Plus +UFS3.0性能预期,足以带来澎湃性能表现。
SuperVOOC 2.0
50W的一代超级闪充,即使放到现在依旧是市面大规模商用快充之中的翘楚,而这次的进化,不仅仅是充电功率和速度再一次提升,第三代半导体材料GaN(氮化镓)的大规模引入更是意义非凡。
与SuperVOOC一代类似,65W超级闪充同样采用了双电芯和电荷泵的设计思路,电芯升级2*2000mAh规格,最高输出功率达到了65W(10V/6.5A)通过串联双3C电芯来承载更高的充电电压和电流,每个电芯相当于分压承受了5V/6.5A的闪充,在维持低压快充特性的基础上又大幅提升了充电功率。
同时因为采用了GaN材料,65W的充电头体积基本没有发生明显变化,参考身边轻薄型笔记本的65W适配器体积,你们就会知道,这直接避免了出现小手机拖着一个笔记本电脑充电头的尴尬。
实测在开机熄屏状态下,SuperVOOC 2.0超级闪充的回血速度非常惊人,而且全过程充电曲线曲率放缓趋势非常小,直到手机恢复至90%的高电量档位,65W超级闪充依旧保持着超快的充电速度,全程基本都维持着理想充电功率,26分30秒充至手机显示电量100%,29分10秒完成完整充电,充电自动断开,充电全过程正式结束。
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